目前工业上使用的是MOCVD多还是MBE多,二者各有何优缺点呢?

目前生长LED、激光等固体发光源用的都是MOCVD,适合量产,成本可控;MBE一般在科研单位用的比较多,不适合大批量量产;但是在生长探测器材料的时候需要生长本征材料,一般MBE生长出来的本征会比MOCVD的要好,比如GaAs,InGaAs,InP的本征材料,究其原因是MOCVD用的是有机源,在分解生长的时候不可避免的带入杂质,影响本征材料的Hall参数;顺便一提,LPE生长出的本征材料特性比MBE的还要好,早年国内从日本进口了10几台LPE,但会用并用好的没有一个,所以没有在国内铺开,与此同时,日本人发现LPE的潜在价值,又将卖给国内的LPE高价再回收了,所以国内已经没有LPE了,现在,高品质的激光探测器一般都出自日本。

氮化镓在LED制程上是应用在LPE制程还是MBE、MOCVD制程 

一般看到的文献里面氮化镓使用MOCVD的比较多,也有使用MBE的~

  • 飞扬浪子CVD发生化学反应
    MBE,分子束外延,包含了两个概念,分子束和外延生长
    分子束的获得方式,不能通过简单的加热获得 ,多数需要等离子体或者其他高能形式得到。
    外延生长,单晶基底上结晶,
  • qfw_681、都是薄膜沉积或薄膜生长。
    2、MBE不属于化学反应。CVD是。
    3、MBE是在单晶衬底上外延生长;CVD也可以进行单晶生长,也可以多晶、非晶生长,依据衬底和生长条件的不同而不同。
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